SG30LE-440i Semiconductor Low Energy Element RO

Детали продукта

Были разработаны элементы обратного осмоса в полупроводнике SG30LE-440I, чтобы удовлетворить требования более высокого общего отторжения, более высокого отторжения органических соединений и кремнезема с более низкой молекулярной массой и ускоренного профиля TOC. Этот элемент высокой площади поверхности позволяет создавать системную конструкцию с меньшим количеством элементов и более низким применяемым рабочим давлением, таким образом, оптимизируя амортизацию капитальных затрат при снижении эксплуатационных затрат.

Типичные свойства

1. Поток чистой воды на основе следующих условий: 225 фунтов на квадратный дюйм (1,55 МПа), 77 ° F (25 ° C) и 15% восстановления.

2. Поток чистой воды на основе следующих условий: 107 фунтов на квадратный дюйм (0,74 МПа), 77 ° F (25 ° C) и 15% восстановления.

3. Скорости потока для индивидуальных элементов могут быть не более чем на 15% ниже показанного значения.

4. Технические характеристики продукта могут изменяться немного улучшения, способствующие реализации.

5. Типичный отказ от стабилизированного соли (CL-) для индивидуального элемента составляет 99,5% в условиях испытаний 2000 ч/млн NACL, 225 фунтов на квадратный дюйм (1,55 МПа) для SG30-400/34IAND 150 фунтов на квадратный дюйм (1,03 МПа) для SG30LE-440I, 77 ° F (25 ° C), PH 8 и 15% восстановления. При более низком TDS (<5 ppm) ионы отклонялись в зависимости от ионной силы, pH и ионных видов.